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高压双向可控硅的图片
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高压双向可控硅的图片
存储电路 24C64 DIP8/SOP8
存储电路 24C64 DIP8/SOP8
产品品牌:宇芯微
产品类型:存储芯片
产品型号:24C64
产品封装:DIP8/SOP8
产品标题:64K存储芯片 24C64 中文资料 存储电路引脚图
咨询热线:0769-89268116
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产品详情


64K存储芯片 24C64 中文资料 存储电路引脚图



64K存储芯片 24C64的描述:

        24C64是一个是一个电可擦除PROM,采用8192 X 8(32K bits)的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V,待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。24C16具有页写能力,每页为32字节。24C64具有8-pin DIP和8-pin SOP 两种封装形式。



64K存储芯片 24C64的引脚图:

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64K存储芯片 24C64的特点:

  • 宽范围的工作电压:1.8V~5.5V

  • 低电压技术

        1mA典型工作电流

        1μA典型待机电流

  • 存储器组织结构:8192 X 8(32K bits)

  • 2线串行接口,完全兼容I2C总线

  • I2C时钟频率为1MHz(5V),400kHz(1.8V、2.5V、2.7V)

  • 施密特触发输入噪声抑制

  • 硬件数据写保护

  • 内部写周期(最大5ms)

  • 可按字节写

  • 页写:32字节页

  • 可按字节,随机和序列读

  • 自动递减地址

  • ESD保护大于2.5kV

  • 高可靠性

        擦写寿命:100万次

        数据保持时间:100年

  • 封装形式:DIP-8、SOP-8

  • 无铅工艺,符合RoHS标准



64K存储芯片 24C64的应用:

  • 智能仪器仪表

  • 工业控制

  • 家用电器

  • 计算机、笔记本电脑

  • 汽车电子

  • 通信设备



64K存储芯片 24C64的极限值:

参数符号数值单位
直流供电电压VCC-0.3~+6.5V
直流输入电压VIN-0.3~VCC+0.3
直流输出电压VOUT-0.3~VCC+0.3
存储温度TSTG-65~+150
ESD电压(人体模型)VESD2500V
ESD电压(机器模型)200



64K存储芯片 24C64的直流电气特性:

条件:TA=0℃~+70℃,VCC=+1.8V~+5.5V,除非另有注释

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
供电电流ICCVCC=5V,100kHz 读
0.41mA
VCC=5V,100kHz 写
23
待机电流ISBVIN=VCC或GND

1μA
输入漏电流
ILIVIN=VCC或GND

3
输出漏电流ILOVOUT=VCC或GND
0.053
输入低电平电压
VIL
-0.6
VCC x 0.3V
输入高电平电压VIH
VCC x 0.7
VCC+ 0.5
输出低电平电压VOL3VCC=5V,IOL=3mA

0.4
VOL2VCC=3V,IOL=2.1mA

0.4
VOL1VCC=1.8V,IOL=0.15mA

0.2


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